Banca de DEFESA: FRANCISCO DIASIS VIEIRA DE ARAUJO

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: FRANCISCO DIASIS VIEIRA DE ARAUJO
DATA: 31/03/2023
HORA: 14:00
LOCAL: Auditório do PPG Ciência e Engenharia dos Materiais
TÍTULO: Estudo da dinâmica de monocamada de GaS e do WSe2 suspenso e suportado dependente da temperatura e pressão de excitação
PALAVRAS-CHAVES: Sulfeto de gálio; espectroscopia Raman dependente da temperatura; parâmetros de Grüneisen de poucas camadas; fotoluminescência; disseleneto de tungstênio
PÁGINAS: 88
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:

Neste trabalho, investigamos a dependência da temperatura e potência de excitação do WSe₂ monocamada e a dependência da temperatura do GaS de duas, três e multicamadas. Sendo ambas as amostras suspensas e suportadas. A caracterização do disseleneto de tungstênio (WSe₂) foi realizada através de fotoluminescência (PL) para observarmos a dinâmica dos éxcitons em baixas temperaturas. Enquanto a caracterização do sulfeto de gálio (GaS) foi realizada atraves do espectro Raman para investigarmos a dependência da temperatura de seus modos mais intensos A¹_g1 e A¹_g2, acessando assim, seus respectivos Parâmetros Grüneisen termodinâmicos e anarmonicidade. Nossos resultados sobre WSe₂ mostram a presença de excitações elementares, como éxciton neutro e os éxcitons carregados (trions), que por sua vez com o aumento da temperatura tiveram seus picos excitônicos deslocados para menores valores de energia. Através dos ajustes feitos com as equações Varshni e Arrhenius, buscou-se compreender a dinâmica das excitações elementares em baixa temperatura atraves da PL com variação de temperatura, além dos efeitos de localização em suas intensidades de PL. Sabendo que os fônons desempenham um papel fundamental no transporte eletrônico e térmico de materiais 2D, o que é crucial para as aplicações de dispositivos. Nesse sentido, nossos resultados sobre GaS mostram que as frequências Raman desses dois fônons suavizam com o aumento da temperatura com diferentes coeficientes θ = ∂ω / ∂T. O coeficiente de temperatura de primeira ordem θ do modo A¹_g2 é ∼ -0,016 cm – 1 / K, independentemente do número de camadas e do suporte. Em contraste, o θ do modo A¹_g1 é menor para GaS de duas camadas e constante para amostras mais espessas (∼ -0,0062 cm – 1 / K). Além disso, para GaS de duas camadas, o θ é ∼ -0,0044 cm – 1 / K para a amostra suportada, enquanto é ainda menor para a suspensa (∼ -0,0029 cm – 1/ K). O maior valor de θ para amostras suportadas e mais espessas foi atribuído ao aumento da anarmonicidade dos fônons induzida pela rugosidade da superfície do substrato e espalhamento dos fônons Umklapp. Nossos resultados lançam uma nova luz sobre a influência do substrato e do número de camadas nas propriedades térmicas de GaS de poucas camadas, que são fundamentais para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de GaS atomicamente finos. Ao mesmo tempo vimos que, nossas pesquisas com WSe2 possibilitam o desenvolvimento de tecnologias na eletrônica, optoeletrônica, valleytrônica entre outras áreas de aplicação para este material bem como para outros matérias 2D.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1570906 - BARTOLOMEU CRUZ VIANA NETO
Interno - 1548848 - EDUARDO COSTA GIRAO
Externo à Instituição - FRANCISCO WELLERY NUNES SILVA - IFMA
Externo à Instituição - RAFAEL SILVA ALENCAR - UFPA
Externo ao Programa - 705.832.924-96 - YUSET GUERRA DAVILA - UFPE