Controle do gap de energia de nanoestruturas de carbono grafíticas por meio de defeitos estruturais
Nanofitas de grafeno, defeitos estruturais, estrutura eletrônica
Enquanto o silício é o material base da atual tecnologia em eletrônica, nanoestruturas baseadas em carbono com hibridação sp2 estão entre os principais candidatos com potencial de substituição desse material á medida que o limite de miniaturização do silício chega aproxima-se do seu máximo. A partir de 2004, quando os russos Andre Geim e Konstantin Novoselov isolaram o grafeno, diversos estudos foram realizados tanto na área teórica como na área experimental com o objetivo de que esse material ser a se tornar a base de uma nova tecnologia. O carbono pode assumir diversas formas, as quais apresentam relacções bem estabelecidas entre estrutura atômica e propriedades físicas. Nanofitas de grafeno são um exemplo de estrutura que pode ser metálica ou semicondutora dependendo da estrutura de suas bordas. Além disso, o gap de nanofitas semicondutoras pode ser manipulado através da escolha da largura do sistema. Neste trabalho visamos investigar como a introdução de defeitos (compostos pela extração de anéis hexagonais) influencia a relação entre estrutura atômica, distribuição e e conconcentração de defeitos e as propriedades eletrônicas destas nanofitas. Mostraremos que diferentes estratégias de distribuição de defeitos podem constituir interessantes ferramentas para pesquisadores experimentais na busca por materiais com propriedades específicas.